Выращены селективно легированные гетероструктуры n-Al_xGa_1-xAs/GaAs (x=0.30) с 2D-электронами на вицинальных гранях полуизолирующего GaAs. Исходные поверхности подложек содержали примеси - углерод и кислород (5.5-20 и 12-89% к пику галлия оже-спектра). Концентрация п подвижность носителей в двумерном канале гетероструктуры n_s=(2.7/0.55)·10¹² см^-2 и mu=7.59-1.1 м²/В·с. Измерены температурная зависимость проводимости, классическое магнитосопротивление (T=4.2 и 77 K), квантовые осцилляции Шубникова-де-Гааза поперечного магнитосопротивления в магнитном поле до 7.2 T, T=4.2 K. Обнаружена анизотропия электрофизических свойств ГСЛ по направлениям [110] и [1 10]. Прямыми опытами показано, что анизотропия свойств (явлений переноса) обусловлена анизотропией подвижности и не связана с перераспределением концентрации носителей в двумерном канале на профилированной поверхности гетероструктуры. Столкновительный характер анизотропии подтверждается и анизотропией температуры Дингла по направлениям [110] и [1 10]. Обсуждаются физические модели, которые могут вызвать анизотропию в явлениях переноса электронов в двумерном канале на профилированной поверхности полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.