На примере p-Si<B, Ga> с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D (N_к, N₂) (N_к, N₁ и N₂ - концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N₂>> N₁) в предположении, что N₂, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D (N_к, N₁) в окрестностях минимума имеет "овражный" рельеф и при некоторых соотношениях между N_к и N₁ разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.