Исследовались изменения электрофизических свойств имплантированных и эпитаксиальных слоев кремния, легированных фосфором, в результате введения атомарного водорода. Установлено, что наиболее значительное снижение концентрации электрически активных центров фосфора в n-Si, сопровождающееся также увеличением подвижности электронов, происходит при гидрогенизации материала в температурном интервале 20-80^oC. Полученный эффект связывается с образованием нейтральных комплексов донор-водород в результате кулоновского взаимодействия H^- и P⁺.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.