Исследована роль центров прилипания электронов в формировании низкотемпературных особенностей магнитного полупроводника CdCr₂Se₄. Показано существенное влияние состояния поверхности на диффузию фотоносителей, возбужденных в приповерхностной области, в объем кристалла и на возникновение долговременной релаксации их.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.