Исследованы фотоэлектрические свойства гетероструктур PbTe-Si и PbTe-SiO₂-Si, изготовленных термическим испарением в вакууме компенсированного теллурида свинца на монокристаллический кремний или на предварительно окисленную поверхность кремния с последующим отжигом гетероструктур на воздухе. Полученные гетероструктуры обладали фоточувствительностью в диапазоне 0.7-6 мкм при 77 K. Наличие пленки окисла кремния толщиной 800-1200 Angstrem на границе раздела теллурид свинца-кремний позволило реализовать нестационарный фотодиодный режим детектирования. В результате комплексного исследования оптических, электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур определены особенности границы раздела теллурида свинца и кремния, а именно наличие пленки окисла кремния, образующейся в процессе отжига, и высокой плотности локальных (поверхностных) состояний ~(1· 10¹¹-1· 10¹²) см^-2. Рассчитана концентрация основных носителей заряда в слоях теллурида свинца, равная для различных образцов (0.5/ 1.0)· 10¹⁵ см^-3, определены величины диффузионных потенциалов в теллуриде свинца и кремнии, сродство к электрону теллурида свинца, равное 4.40 ± 0.05 эВ, и построены энергетические диаграммы исследованных гетероструктур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.