Показано, что в процессе длительных отжигов (более 200 ч) в области T=550^oC в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, наряду с различными термодонорами также образуются центры акцепторного типа (так называемые центры Si-5K). Установлено, что центры Si-5K имеют симметрию C_s, g-факторы: g₁= 1.9989, g₂=1.9939, g₃= 2.0017 и проявляют свойства электродипольного резонанса. При увеличении температуры отжига до T=650^oC в таких кристаллах образуется целый набор акцепторных центров (Si-NK), которые по своим характеристикам подобны центрам Si-5K. Сделан вывод о том, что центры Si-5K, как и центры Si-NK, имеют прямую связь с дислокационными диполями, которые образуются при таких отжигах в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, вследствие преципитации примеси кислорода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.