Проведено аналитическое и численное изучение ионизационной реакции p-n-структур ИМС, облучаемых как слабым, так и мощным ионизирующим излучением (ИИ). Найден количественный критерий (в виде отношения концентрации генерированных ИИ неосновных носителей заряда к уровню легирования) области применимости теории ПИ слабых интенсивностей. Рассчитаны ВАХ полупроводниковой структуры, облучаемой мощным ИИ, и обнаружен эффект восстановления p-n-перехода при включении определенного отрицательного напряжения смещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.