Для бинарного полупроводника построен набор модельных функций Грина, определяющих (без использования k-пространства) зонную структуру и плотность состояний в идеальном кристалле. Параметры расчета, эквивалентные матричным элементам гамильтониана Уэйра-Торпа, вычисляются самосогласованно с использованием данных по степени ионности реальных полупроводников. Исследуются основные тенденции в поведении "внутриатомных" параметров при образовании ковалентных связей и влияние этих тенденций на локальную плотность состояний. Получено выражение для порога фотоионизации, определяющего положение зон относительно "вакуума". Предложенный метод является основой для расчета энергетического спектра примесных центров, создающих сильное локальное возмущение в кристалле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.