С помощью лазерного сканирующего микроскопа проведено исследование интерфейса полупроводниковых структур, сформированных методом прямого сращивания зеркально полированных кремниевых пластин. Показано, что измерение величины оптического пропускания структур при зондировании светом с lambda=1.15 мкм обеспечивает неразрушающий контроль однородности сращивания и выявление дефектных областей интерфейса. Наличие потенциального барьера на интерфейсе структур может быть выявлено путем регистрации наведенной фотоэдс в режиме сканирования границы сращивания светом с lambda=0.63 мкм. Использование лазерного сканирующего микроскопа для контроля качества структур и корректировки технологического процесса прямого сращивания кремния (ПСК) позволило изготовить методом ПСК высоковольтные p⁺-n-n⁺-структуры, характеристики которых не отличались от характеристик контрольных структур, изготовленных традиционными технологическими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.