Исследовано влияние дозы имплантированных протонов на вольт-амперные характеристики контакта Au-InAs p-типа. Обнаружен немонотонный характер этого влияния, связанный с тем, что первоначальное накопление электрически активных дефектов приводит к подавлению туннельных компонент тока и снижению эффективности лавинного умножения при обратных смещениях, что в свою очередь ведет к улучшению выпрямляющих свойств контакта. Дальнейшее увеличение концентрации состояний в запрещенной зоне с повышением дозы имплантации приводит к возникновению проводимости по этим состояниям и преобразованию контакта в омический.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.