Методом емкостной спектроскопии исследовано влияние температуры облучения в интервале 25-250^oC на эффективность образования электронных ловушек в InP с n₀~10¹⁵ см^-3. Показано, что при повышении температуры облучения скорость введения большинства глубоких уровней, а также скорость удаления носителей заряда уменьшаются, что объясняется отжигом дефектов, протекающим одновременно с облучением. Вместе с тем при T_обл<=200^oC наблюдались быстрый рост эффективности образования донорного центра E5 (E_a=0.60 эВ), обусловленный изменением зарядового состояния одного из первичных дефектов решетки InP, а также образование нового центра ET1 (E_a=0.16 эВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.