Исследованы особенности образования термодоноров (ТД) при T=315-450^oC в кристаллах Si<O> прошедших кратковременные предварительные термообработки (ПТО) при T=500-800^oC. Показано, что начальные стадии накопления ТД в кристаллах, прошедших ПТО, контролируются процессом генерации центров зарождения ТД. Получены зависимости стационарной концентрации центров зарождения и характеристического времени их образования от температуры отжига и содержания кислорода в кристаллах. Установлено, что в состав центров зарождения входит не менее 3 атомов кислорода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.