Исследована люминесценция гетероструктуры p-InAs/P-InAs_0.63P_0.25Sb_0.12. В спектрах люминесценции обнаружена новая линия, лежащая между объемными линиями узкозонного и широкозонного материалов. Характерной особенностью этой линии является смещение ее в коротковолновую область при увеличении уровня возбуждения. В результате подробного теоретического анализа и сопоставления теории с экспериментом данная линия интерпретирована как результат рекомбинации дырок, находящихся на акцепторах обогащенного слоя, и фотоэлектронов, локализованных в области обеднения вследствие надбарьерного отражения от гетерограницы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.