Получены поверхностно-барьерные структуры Au-SiC-6H, по своим электрическим характеристикам близкие к идеальным, работоспособные до температур 300^oC. Исследованы их электрические характеристики и механизм протекания тока. Показано, что протекание прямого тока описывается теорией термоэлектронной эмиссии. Прямой ток I~1 А при U_пр~4 В. Напряжение пробоя структур 100-170 В при комнатной темперaтуре. Обратные токи при T=570 K и U=70 В ~10^-8 А.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.