С использованием многозонного приближения метода эффективной массы рассчитан коэффициент прохождения квазичастицы над симметричной прямоугольной квантовой ямой. Найдена вольт-амперная характеристика транзисторной структуры с монополярной проводимостью, содержащей глубокую квантовую яму такой формы. Показано, что вольт-амперная характеристика имеет падающие участки как в режиме ограничения тока пространственным зарядом, так и в режиме насыщения эмиттера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.