Исследовано влияние ультразвука на электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов Zn_xCd_1-xTe. Показано, что действие УЗ на электрические и фотоэлектрические характеристики кристаллов Zn_xCd_1-xTe обусловлено двумя процессами: 1) увеличением плотности дислокаций с последующим отеканием на них подвижных акцепторов, определяющих проводимость; 2) отходом этих акцепторов от дислокации в объем кристалла. Первый процесс доминирует в образцах с малой плотностью дислокаций (<10⁵ см^-2) и приводит к уменьшению проводимости sigma_т, интенсивности люминесценции W и величины фототока I_ф. Второй процесс доминирует в образцах с большой величиной gamma (>10⁶ см^-2) и приводит к росту sigma_т, I_ф и W.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.