Проанализированы осцилляции Шубникова-де-Гааза поперечного магнитосопротивления селективно легированных гетероструктур n-Al_xGa_1-xAs/GaAs с 2D-электронами при T=4.2 K и магнитном поле до 7.2 Т. Из магнитополевой зависимости амплитуды осцилляции (графики Дингла) определен фактор нетеплового (столкновительного) уширения уровней Ландау (температура Дингла T_D). Установлена линейная связь T_D с концентрацией электронов в двумерном канале n_s. Теоретический анализ показал, что такой вид связи T_D и n_s обеспечивают флуктуации потенциального рельефа, которому следуют флуктуации электронной плотности. Эта модель на основе сопоставления соответствующих времен релаксации позволила выполнить оценки характерных размеров флуктуаций. В исследованных структурах установлены флуктуации от 8.5 до 80 Angstrem. Определена "приведенная" к поверхностной концентрация рассеивающих центров N_BI (поверхностных состояний), обусловливающих нетепловое уширение уровней Ландау: 1.4·10⁹=< N_BI=<7.0·10⁹ см^-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.