Исследовано влияние ростовых дислокаций как стоков неравновесных носителей заряда (ННЗ) на процессы рекомбинации в кристаллах n-Cd_xHg_1-xTe (x~0.20/0.22) с плотностью дислокаций N_D= 4·10⁴-2·10⁶ см^-2. Установлено, что ростовые дислокации ограничивают время жизни электронов при плотности N_D>~=10⁶ см^-2. Рассмотренная модель диффузии ННЗ к цилиндрическим включениям в отличие от традиционной модели дислокации с заданным сечением захвата ННЗ позволила оценить радиус дислокации как рекомбинационного стока и скорость рекомбинации на границе "включение-матрица". Установлено, что радиус области обеднения ННЗ вокруг дислокации ниже диффузионной длины неосновных носителей заряда и зависит от радиуса дислокации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.