Представлены результаты исследования методом DLTS n- и p-Ge с ростовыми дислокациями. Полученные данные позволяют достаточно определенно утверждать, что точечные дефекты, генерируемые дислокациями, введенными в процессе роста или при деформации кристаллов, идентичны. Проведено сопоставление температурных зависимостей высокочастотной проводимости и проводимости при малых напряжениях, а также вольт-амперных характеристик исследуемых образцов с данными DLTS. Дефекты с энергетическими уровнями E_c-0.21 эВ, наблюдаемые в спектрах DLTS дислокационного германия, идентифицированы как кислородные комплексы вакансионного типа, концентрация которых коррелирует с плотностью дислокаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.