С помощью измерений емкостной спектроскопии в слоях n-GaAs с n₀=3·10¹⁴-2·10¹⁶ см^-3, облученных электронами с E=0.9 МэВ при температуре Theta=20^oC, наблюдались известные электронные ловушки Е1- Е5 и Е8, а в слое с n₀=2·10¹⁷ см^-3 - дополнительно ловушка E3_beta. Установлено, что эффективности введения указанных ловушек практически не меняются при изменении интенсивности пучка электронов (I=6·10¹¹-3·10¹³ см^-2·c^-1). Для слоев с n₀~(1/3)·10¹⁵ см^-3 проанализировано влияние температуры облучения (Theta) на процессы дефектообразования в GaAs. Установлено, что при Theta~300^oC из-за термического отжига в процессе облучения эффективность введения ловушек E резко уменьшается и основной вклад в изменение свойств материала вносят ловушки X. Впервые показано, что при дальнейшем повышении Theta вплоть до 550^oC спектр вводимых электронных ловушек практически не меняется и включает в себя два основных центра - X1 и X2 с E_a=0.38 и E_a=0.76 эВ соответственно. Проанализирована кинетика накопления этих центров при Theta=400^oC, определены их основные параметры. Показано, что результаты облучения при Theta=300^oC и отжига до этой температуры после облучения при Theta=20^oC почти эквивалентны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.