Теоретически рассмотрено влияние переизлучения (перепоглощения) собственной люминесценции на пороговый уровень накачки в полупроводниковых лазерах на основе полосковых многопроходных гетероструктур с полностью поглощающими боковыми поверхностями. Рассчитаны зависимости снижения уровня пороговой накачки от ширины и толщины активного слоя лазера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.