Используя экспериментальные данные, построены спектры собственных дефектов с отрицательной эффективной корреляционной энергией (D-центры) в термически напыленных пленках As₂Se₃, легированных Bi, и в пленках, полученных высокочастотным сораспылением As₂Se₃ с Ni. Спектры оказались существенно немонотонными. В пленках As₂Se₃<Bi> пик плотности состояний D-центров расположен в середине запрещенной зоны, как и в чистом As₂Se₃. Однако его мощность значительно больше, чем в As₂Se₃, так что концентрация D-центров совпадает с концентрацией электрически активных примесных атомов. В As₂Se₃<Ni> пик плотности состояний D-центров находится вблизи акцепторного уровня. Предложена проверка выводов работы с помощью измерения спектральной зависимости фотолюминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.