Теоретически исследуются особенности биполярных гетеротранзисторов с туннельно-резонансным эмиттером. Учитываются как зависимость плотности эмиттерного тока от напряжения база-коллектор, так и управляемое напряжением база-коллектор междолинное рассеяние. Рассчитываются распределения потенциала и вольт-амперные характеристики. При низких напряжениях база-коллектор вольт-амперные характеристики имеют N-образную форму, что обусловлено резонансным туннелированием через ТРС эмиттер. При достаточно большом напряжении база-коллектор эмиттерный ток концентрируется в центре базы и вольт-амперные характеристики оказываются неоднозначными (одному значению напряжения соответствуют три значения тока) в некотором интервале напряжений эмиттер-база. Было показано, что при нагрузке рассматриваемые БГТ могут иметь три рабочие точки, соответствующие положительной дифференциальной проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.