Методом рентгеноспектрального микроанализа изучено распределение основных компонентов соединений в пограничной области гетероструктуры In₂S₃-InAs. Слои In₂S₃ получали методом замещения мышьяка на серу в приповерхностной области арсенида индия. Доказано существование переходной области (П') в гетеросистеме. Особенности вольт-фарадных характеристик объяснены в рамках модели МДП'П структуры участием в экранировании внешнего электрического ноля свободных носителей заряда в слое П'. Показана возможность оценки параметров переходной области в гетероструктурах методом C-V-характеристик.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.