В n-GaAs исследована медленная (микросекундная) компонента кинетики фотолюминесценции линии, отвечающей рекомбинации электрона на мелком доноре и дырки валентной зоны D^o, h. Показано, что кинетика обусловлена выбросом дырок в валентную зону из локализованных состояний. Выброс осуществляется в результате оже-рекомбинации с участием двух дырок, захваченных на глубокий центр.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.