В образцах GaAs n- и p-типа (T=300 K) измерены зависимости спектров оптического пропускания от интенсивности падающего света, когда энергия квантов накачки homega<E_g (GaAs). При увеличении интенсивности накачки в диапазоне I=(1/5·10⁵) Вт/см² наблюдалось частичное просветление образцов: при больших мощностях уровень нелинейного пропускания был на 3-15% больше, чем в линейном режиме. Наблюдаемое просветление объясняется экранированием электрон-примесного и электрон-электронного взаимодействий свободными носителями заряда, полученными при оптической накачке полупроводника. В разностных спектрах поглощения deltaalpha=alpha-alpha_н (alpha и alpha_н - линейный и нелинейный спектры поглощения соответственно) при энергиях кванта homega<E_g обнаружены узкие максимумы, которые для образцов n-GaAs обусловлены оптическими переходами из валентной зоны на доноры, а для p-GaAs - переходами акцептор-зона проводимости. Рассмотрено влияние эффектов сужения зоны Мосса-Бурштейна и изменения энергии ионизации примеси на вид разностных спектров при различных концентрациях примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.