Изложены результаты дефектоскопического исследования крупномасштабных примесных скоплений в монокристаллах InP, выполненного методом малоуглового рассеяния света среднего ИК диапазона (lambda₀=10.6 мкм), приведены оценки основных параметров скоплений (их размеров и концентрации свободных носителей в их объеме) и энергии активации образующих их точечных центров. Предлагается модель скоплений, согласно которой они представляют собой сферические области кристалла, обогащенные микровключениями индия и дефектом InP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.