Представлены экспериментальные результаты, свидетельствующие о возможности увеличения времени включения с перенапряжением в сверхбыстродействующих переключателях на основе аморфных пленок теллуридов In, Ga, Ge и Si. Используя модель ударной ионизации в трехуровневой системе с учетом тока смещения и неоднородности токового канала в низкоомном состоянии, дано объяснение этому явлению.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.