Приведены результаты расчета кинетики зарядового состояния первичных радиационных дефектов (РД) в процессе облучения в обратно смещенных p⁺-n-структурах. Сделан вывод о том, что уменьшение концентрации вторичных РД в области пространственного заряда (ОПЗ) связано с изменением констант реакций аннигиляции первичных РД. Рост аннигиляции первичных РД в ОПЗ обусловлен увеличением радиуса аннигиляции r_IV генетически связанных компонентов пар Френкеля за счет: 1) изменения зарядового состояния V, I в электрическом поле, 2) дрейфа во внешнем электрическом поле заряженных, генетически связанных компонентов пар Френкеля в область их аннигиляции (в область, где r_IV<r^ан_IV). Дано качественное объяснение экспериментально наблюдаемых профилей концентрации РД в базе обратно смещенных кремниевых диодных структур и их зависимости от интенсивности облучения, основанное на предположении о генерации положительно заряженных и нейтральных междоузельных атомов, отрицательно заряженных и нейтральных вакансий в процессе облучения. Сделана оценка коэффициента диффузии междоузельных атомов D_I при T=300 K (D_I=< 10^-7 см²/с).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.