ГXГ-структура типа GaAs/AlAs/GaAs с тонким X-слоем является туннельно проницаемым потенциальным барьером для Г-электронов и квантовой потенциальной ямой для X-электронов. Если вывести X-слой наружу с помощью базового электрода, то можно управлять сквозным туннельным Г-током с помощью независимо задаваемого напряжения эмиттер-база. Базовые токи при этом образованы токами XГ-конверсии на гетеропереходах база-коллектор и база-эмиттер. Рассмотрены условия, при которых сквозной туннельный Г-ток существенно превосходит конверсионные базовые токи. Предложен вариант латеральной конструкции с выводом X-базы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.