Методом ЖФЭ впервые получены гетероструктуры In_0.53Ga_0.47As/In_0.88Ga_0.12As_0.23P_0.77 с двумерным электронным газом. Исследованы механизмы эффекта устойчивой фотопроводимости в структурах In_xGa_1-xAs_1-y/In_0.53Ga_0.47As. Показано, что введение спейсера и буферного слоя позволяет получить структуры с очень высокой подвижностью - 12 300 см²/В·с при комнатной температуре, в которых отсутствует влияние освещения на транспортные характеристики при низких температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.