Исследованы коэффициенты удельной электропроводности, Холла, Зеебека и поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в PbTe, легированном одновременно глубоким акцептором Tl и изовалентной примесью Si, в диапазоне температур 77-430 K. Содержание таллия было фиксированным - 2 ат%, кремния варьировалось от 0 до 1.5 ат%. Все образцы были p-типа. Образцы PbTe<Tl, Si> с малым (N_Si < 0.08 ат%) и высоким (N_Si >~= 0.7 ат%) содержанием кремния обладали электрофизическими свойствами, близкими к свойствам PbTe<Tl>. Для образцов с промежуточным содержанием Si характерны аномальное поведение кинетических коэффициентов и стабилизация концентрации дырок на уровне 1· 10¹⁹ см^-3, на порядок меньшем, чем в PbTe, легированном только таллием. Отмеченные особенности в кинетических коэффициентах связываются с существованием квазилокального уровня e_d, расположенного приблизительно на 0.1 эВ ниже потолка валентной зоны и резонансного рассеяния дырок на этот уровень. Предполагается, что этот уровень генетически связан с собственными дефектами донорного типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.