Исследованы процессы дефектообразования в n-Si с изовалентной примесью германия. Показано, что при этом образуются акцепторные комплексы германий-вакансия ([GeV]), находящиеся в одном зарядовом состоянии. Принадлежащие этим комплексам энергетические уровни расположены в полосе ~ E_c -(0.05 / 0.08) эВ. Комплексы [GeV] отжигаются в температурном диапазоне 220-300 K, причем температура отжига уменьшается с ростом концентрации германия. Положение энергетических уровней и особенности кинетики отжига указанных комплексов обусловлены наличием в кремнии примесных скоплений атомов германия и неоднородностью упругих напряжений, вызванной различием в размерах этих скоплений. Проведена оценка среднего гидростатического давления, обусловленного примесными скоплениями атомов германия в кремнии. Соответствующие смещения энергетических уровней [GeV] могут составлять по порядку величины ~ 10 мэВ, что согласуется с экспериментальными данными настоящей работы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.