Проведены измерения коэффициента Холла и электропроводности слоев n-Mn_xHg_1-xTe с x=0.095/ 0.15 и концентрациями некомпенсированных доноров не более 2· 10¹⁵ см^-3, выращенных методом жидкофазной эпитаксии и подвергнутых длительному отжигу в парах ртути, в интервале температур 4.2/ 300 K. Установлено, что наряду с мелкими донорами и акцепторами в них содержатся акцепторные центры с глубоким уровнем, концентрация которых в отдельных слоях может достигать 10¹⁴/ 10¹⁵ см^-3. Путем сравнения экспериментальных данных с расчетами показано также, что в области высоких температур электроны рассеиваются в основном на полярных оптических фононах, при промежуточных температурах на фононах и нейтральных глубоких акцепторах, а при низких температурах - на заряженных донорах и акцепторах; суммарные концентрации доноров и акцепторов в исследованных слоях составляют 5· 10¹⁵/ 2· 10¹⁶ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.