Проведен сравнительный анализ дефектности эпитаксиальных слоев GaAs/Si, выращенных двухстадийным и прямым методами, исследованы кривые дифракционного отражения рентгеновских лучей и спектры фотолюминесценции гетероструктур GaAs/Si и тех же слоев GaAs с удаленной подложкой. Приведены результаты микроструктурного исследования GaAs-слоев методом просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что кристаллическое совершенство слоев, полученных двухстадийным методом на точно ориентированных подложках, выше, чем у слоев, выращенных на разориентированных подложках Si; формирование промежуточного слоя GaAs путем трехкратного повторения циклов осаждения и рекристаллизации a-GaAs существенно улучшает кристаллическое совершенство основного слоя GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.