Теоретически исследована температурная зависимость интенсивности люминесценции I_л в полупроводниках с амфотерными примесями при различных значениях подсветки G, эффективности электронно-дырочной рекомбинации Gamma и отношения коэффициентов вероятностей захвата электронов и дырок на нейтральный центр (C_n0/C_p0). При C_p0 >> C_n0 с увеличением G максимум интенсивности люминесценции I_max смещается в высокотемпературную область, а при увеличении Gamma - в низкотемпературную. Если C_p0=C_n0, то положение I_max не зависит от G. Получена немонотонная зависимость I_л(T) для рекомбинации "зона проводимости-акцептор". Качественно эти результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными, например, на соединениях CdS(Te) и ZbS : Co. Анализ модельной экспериментальной зависимости I_л(T) показывает, что достаточно точные значения глубины залегания акцепторного уровня можно получить только при определенных условиях эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.