Рассмотрены процессы фотохимической перестройки глубоких примесных центров ГПЦ в p-Si, легированном Te, Zn и Fe, протекающие при 300-350 K под действием облучения "сверхнизкоэнергетическим" светом из области примесного поглощения с энергией Delta E=< 0.75 эВ и интенсивностью I=10¹⁴-10¹⁷ квант/см²· с. Установлено, что длительное облучение (доза D<= 3· 10¹⁹ квант/см²) приводит к распаду донорно-акцепторных пар TeB⁰, ZnB⁰ и FeB⁰ с последующим образованием новых ГПЦ. Это проявляется в изменении спектров нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции. Полученные результаты объясняются на основе механизма рекомбинационно-стимулированной диффузии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.