С помощью измерений емкостной спектроскопии в GaAs с n₀= 10¹⁵-2.5· 10¹⁷ см^-3 исследовалось влияние температуры облучения в на эффективность введения электронных ловушек в интервале 20=< Theta =< 550^oC. Установлено, что при в Theta >~= 250^oC, когда E-ловушки термически нестабильны, основной вклад в изменение свойств материала вносят ловушки X1 и X2 с E_a~ 0.38 и E_a=0.76 эВ соответственно. Изменений энергетического спектра X-ловушек в зависимости от метода выращивания материала (эпитаксиальный, Чохральского), уровня его легирования и типа легирующей донорной примеси (S, Te) не наблюдалось. Показано, что в интервале Theta = 20-550^oC эффективность введения ловушки X2 практически не меняется, а эффективность введения X1 существенно зависит от величины Theta. Предполагается, что рост скорости введения X1, наблюдаемый в нелегированных слоях [n₀~ (1/ 3)· 10¹⁵ см^-3] при Theta =300-400^oC, обусловлен изменением зарядового состояния дефекта, а последующий спад при более высоких Theta - отжигом центра. Указывается на возможную связь ловушки X1 с одним из зарядовых состояний вакансии As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.