Представлены результаты исследования гетеропереходов, образованных тонкой пленкой высоколегированного широко зонного полупроводникового соединения SnO₂ или In₂O₃ с фосфидом галлия. По результатам исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик определены значения высоты потенциального барьера и коэффициента идеальности. Значение высоты барьера находится в согласии с величиной, определенной из фотоэмиссионных характеристик по методу Фаулера. Расчет оптических характеристик гетеропереходов подтверждает экспериментально полученное значение внешней квантовой эффективности, близкое по величине к 100 %. Фотоэлектрические и электрофизические параметры исследованных гетерофотодиодов представлены в сравнении с коммерческими фотодиодами фирмы "Hamamatsu".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.