Показано, что в двух основных материалах современной полупроводниковой электроники - кремнии и арсениде галлия объемный шум 1/f возникает вследствие флуктуаций заполнения уровней, образующих хвост плотности состояний вблизи края запрещенной зоны. Такие хвосты, обусловленные наличием несовершенств кристаллической решетки - примесей, дефектов, локальных напряжений, существуют в любом реальном кристалле. Развита модель объемного шума 1/f в полупроводниках. Модель предсказывает существование нескольких новых физических эффектов: немонотонной зависимости низкочастотного шума от интенсивности подсветки, специфического механизма долговременной фотопроводимости, возрастания шума 1/f при ухудшении структурного совершенства материала при сохранении механизма формирования шума 1/f. Все эти эффекты обнаружены экспериментально. Установлено, что модель правильно описывает основные экспериментальные данные.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.