Представлен расчет времени постоянства обратного тока (времени переключения t_n) при переключении длинного варизонного диода из прямо смещенного состояния в обратно смещенное в условиях многократного самопоглощения собственного рекомбинационного излучения. Проанализированы зависимости времени переключения от величины и направления градиента ширины запрещенной зоны базовой области, внутреннего квантового выхода излучательной рекомбинации, оптических свойств базы и контактов. Показано, что в случае малых оптических потерь эффект переизлучения приводит к усилению зависимости времени переключения от градиента ширины запрещенной зоны и позволяет уменьшить t_n при "тянущих" градиентах E_g. Выводы расчета подтверждены экспериментально измерением времени переключения варизонных и гомозонных n⁺-n-p-диодов из GaAs, Al_xGa_1-xAs при температурах в диапазоне 77-320 K, когда эффективность излучательной рекомбинации различна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.