В монокристаллах узкощелевого многодолинного полупроводника n-Pb_0.8Sn_0.2Te исследован геликонный резонанс в области концентраций электронов N=~(1/ 10)·10¹⁶ см^-3 и частот излучения omega<<omega_c, где omega_c - циклотронная частота. Показано, что для направления магнитного поля H вдоль осей <001>, когда эллипсоиды равной энергии, ориентированные вдоль осей <111>, расположены одинаково по отношению к направлению магнитного поля, в плоскопараллельных образцах возникают осцилляции производной сигнала поглощения d P/d H, связанные с возбуждением геликонных волн. Как и в полупроводниках с изотропными поверхностями равной энергии, условия распространения геликонных волн в многодолинных полупроводниках А^IVB^VI при H||<001> определяются напряженностью магнитного поля, концентрацией носителей тока и частотой возбуждающего излучения, а не зонными параметрами полупроводника и диэлектрической проницаемостью решетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.