Исследованы механизмы протекания тока в p-n-переходах, полученных методом ионнолучевого травления на объемных кристаллах Cd_xHg_1-xTe (x~0.24). Анализ проведен на основе изучения вольт-амперных характеристик и удельного дифференциального сопротивления в диапазоне температур 60/200 K. Показано, что основными механизмами, определяющими токи в исследованных p-n-переходах при T>110 K, являются термоактивационные механизмы, а при 60<T<110 K - межзонное туннелирование и туннелирование через локальные центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.