Представлено современное состояние одного из актуальных направлений радиационного легирования полупроводников - трансмутационного (ядерного) легирования (ТЛ) под действием заряженных частиц (ЗЧ). В отличие от нейтронного и фотоядерного трансмутационного легирования, исследованию которых посвящены монографии и обзоры, ТЛ под действием ЗЧ, бурно развивавшееся в последние 10-15 лет, еще не имеет обобщающих работ. Обзор состоит из трех разделов. В первом разделе рассмотрены особенности ядерных реакций в полупроводниках иод действием заряженных частиц и главное внимание уделено работам по моделированию процессов ТЛ в полупроводниках под действием ЗЧ. Анализируются работы по моделированию общего количества введенных донорных и акцепторных примесей, оптимизации коэффициентов компенсации, оценивается распределение легирующих примесей по глубине полупроводникового кристалла. Во втором разделе рассмотрено современное состояние экспериментальных исследований по ТЛ под действием ЗЧ. В силу специфики объектов экспериментального исследования в этой области второй раздел разбит на три подраздела: кремний, соединения A^IIIB^V, другие полупроводниковые и родственные материалы (ВТСП, сегнетоэлектрические пленки и т. д.). Рассмотрены работы, в которых представлены экспериментальные данные об общем количестве введенных легирующих примесей, концентрации электрически активной доли примеси, профиле распределения легирующих примесей, об условиях эффективного отжига радиационных дефектов. Третий раздел посвящен анализу применимости ТЛ на ЗЧ в производстве полупроводниковых приборов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.