Проведено детальное исследование фотолюминесценции узкощелевого полупроводника Hg_0.77Cd_0.23Te. Сделана оценка влияния высших зон на энергию электронов в зоне проводимости и ее соотношения с взаимодействиями, обусловленными ближайшими зонами. Величина фактора взаимодействия с высшими зонами F=0 получена из сравнения двух независимых экспериментов, если считать, что кейновский матричный элемент E_p=18 эВ не зависит от состава. Показано, что в магнитном поле CHCC оже-процесс играет важную роль в установлении равновесия в электронной системе полупроводника, в то время как процесс CHHL эту роль теряет.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.