В полупроводниковом образце субмикронных размеров, включенном в замкнутую электрическую цепь, в приближении электронной температуры рассчитана термоэдс. Проанализированы механизмы ее возникновения, сводящиеся к созданию энергетической неоднородности, вызванной энергетическим баллистическим пролетом электронов в объеме и поверхностными термоэдс в контактах. Рассмотрены режимы холостого хода и короткого замыкания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.