Исследованы особенности магнитополевых зависимостей коэффициента Холла R_H и относительного магниторезистивного эффекта Deltarho/rho в эпитаксиальных пленках p-Cd_xHg_1-xTe (x~0.21), а также в n-p-структурах, сформированных в результате механической обработки поверхности кристаллов p-Cd_xHo_1-xTe. Экспериментально обнаружен и подтвержден теоретическим расчетом участок слабой магнитополевой зависимости Deltarho _normal /rho в двухслойной n-p-структуре; определены условия появления точки перегиба на электронном участке экспериментальных зависимостей R_H(B) двухслойных структур. Установлено, что благодаря большому отклонению подвижностей электронов и дырок в твердых растворах Cd_xHg_1-xTe влияние приповерхностного n-слоя в эпитаксиальной пленке p-типа проводимости существенно даже при выполнении неравенства sigma_nd_n<<sigma_pd_p (sigma_n,sigma_p - электропроводность, d_n,d_p - толщина соответственно n- и p-слоев), в то время как характерный для p-Cd_xHg_1-xTe участок насыщения M(B) и инверсия R_H(B) имеют место даже при выполнении условия sigma_nd_n>sigma_pd_p.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.