Рассмотрены особенности транспорта электронов в диодах Ганна на основе эпитаксиальных гетероструктур n-In_0.53Ga_0.47As/n⁺-InP. На основе анализа ВАХ диода получена BAX собственно гетероперехода. Показано, что особенность на этой ВАХ обусловлена влиянием барьера высотой 0.17-0.18 эВ в n⁺-слое, ограничивающее влияние которого на ток снимается при напряжениях на гетеропереходе ~0.1 В. Наличие барьера способствует разрушению бегущего домена сильного поля и объясняет наблюдаемую зависимость частоты генерации от толщины активного n-слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.