В эпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe (x~=0.20), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложке из монокристаллического CdTe и защищенных с лицевой стороны анодным окислом, исследовались спектральное распределение фотопроводимости, фотомагнитного эффекта, а также гальваномагнитные характеристики в зависимости от зарядового состояния поверхности. Последнее управлялось с помощью ультрафиолетовой подсветки. Все особенности фотоэлектрических, а также гальваномагнитных характеристик эпитаксиальных слоев n- и p-типа проводимости интерпретированы в рамках представлений, учитывающих изменение изгиба зон и скорости поверхностной рекомбинации, а также наличие поля, обусловленного градиентом ширины запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.