При 4.2<T<250 K исследованы электрофизические характеристики барьеров Шоттки Pb (Sn) - p-Hg_1-xCd_xTe [x=0.2-0.4, N_A-N_D=(0.2-10)·10¹⁵ см^-3] с близкими к единице коэффициентами идеальности. Для всех составов и уровней легирования уровень Ферми на поверхности полупроводника закреплен на расстоянии varphi₀ 2Eg/3 от вершины валентной зоны. Экспериментальные результаты удается описать в двухзонном кейновском приближении для закона дисперсии только при одновременном учете (зачастую в одном и том же интервале T) межзонного туннелирования, туннелирования с участием глубоких уровней, термополевой эмиссии и надбарьерных механизмов. Обнаруженные аномалии в температурных зависимостях обратных туннельных токов объясняются температурными изменениями эффективной массы и varphi₀ при низких T и доминированием межзонной термополевой эмиссии в области высоких T.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.